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2024/04/22
银河优越会推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
银河优越会的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon温度稳定性、门极驱动电压覆盖度更宽、具备高可靠性，适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。
NPC060N120A产品特性
- 更宽的栅极驱动电压范围（-8~22V）
支持+15V，+18V驱动模式（可实现IGBT兼容：+15 V）
+18V模式下，RDSon可降低20%
- 更好的RDSon温度稳定性
- 出色的阈值电压一致性
Vth在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间
- 体二极管正向压降非常低且稳健性高
- 100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强
此外，功率产品开发中可靠性验证与质量控制是银河优越会非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证，如下图：
以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。
NPC060N120A产品选型表
银河优越会SiC MOSFET命名规则
未来，银河优越会将持续扩大产品阵容，推出更多规格产品供客户选择。
